Salicide

El término salicide se refiere a una tecnología usada en la industria de microelectrónica usada para formar contactos eléctricos entre el dispositivo de semiconductor y la estructura del alambre de conexión de apoyo. El proceso de salicide implica la reacción de una película metálica delgada con el silicio en las regiones activas del dispositivo, por último formando un metal silicide contacto a través de una serie de la templadura y/o grabe al agua fuerte procesos. El término "salicide" es una compactación de silicide autoalineado de la frase. La descripción "autoalineada" sugiere que la formación de contacto no requiere procesos de modelado litográficos, a diferencia de una tecnología no alineada como el polycide. El término salicide también es usado para referirse al metal silicide formado por el proceso de formación de contacto, como "titanio salicide", aunque este uso sea inconsecuente con convenciones de nombramiento aceptadas en la química.

Póngase en contacto con formación

El proceso de salicide comienza con la deposición de una capa de metal de transición delgada totalmente dispositivos de semiconductor formados y modelados (p.ej transistores). La oblea se calienta, permitiendo el metal de transición reaccionar con el silicio expuesto en las regiones activas del dispositivo de semiconductor (p.ej, fuente, desagüe, puerta) la formación de un metal de transición de resistencia baja silicide. El metal de transición no reacciona con el dióxido de silicio, ni el silicio nitride el presente de aislantes en la oblea. Después de reacción, cualquier metal de transición restante es quitado por la aguafuerte química, dejando silicide contactos en sólo las regiones activas del dispositivo. Un proceso de fabricación totalmente integrable puede ser más complejo, implicar adicional templa, tratamientos superficiales, o grabe al agua fuerte procesos.

Química

Los metales de transición típicos usados o considerados para el uso en la tecnología salicide incluyen el titanio, el cobalto, el níquel, el platino y el tungsteno. Un desafío clave en el desarrollo de un proceso de salicide controla la fase específica (compuesto) formado por la reacción metálica y de silicio. El cobalto, por ejemplo, puede reaccionar con el silicio para formar CoSi, CoSi, CoSi y otros compuestos. Sin embargo, sólo CoSi tiene una resistencia suficientemente baja para formar un contacto eléctrico eficaz. Para algunos compuestos, la fase de resistencia baja deseada no es termodinámicamente estable, como el C49-TiSi, que es metastable con respecto a la resistencia alta fase de C54.

Otras consideraciones

Otro desafío que está enfrente de la integración de proceso acertada incluye el crecimiento lateral, sobre todo de abajo la puerta, que va el cortocircuito el dispositivo.



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